Cascode SiC MOSFET相对于普通SiC MOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损失。这是由于Cascode SiC MOSFET结构将两个MOSFET级联，其中一个通常是低压侧的Si MOSFET，另一个是高压侧的SiC MOSFET。这样的结构使得Si MOSFET承担了较大部分的开关功耗和过渡损耗，而SiC MOSFET则承担了更大的电压负载，从而有效地提高了整个器件的开关速度和效率。