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为什么SIC碳化硅二极管比普通硅二极管性能好?
来源: | 作者:张工 | 发布时间: 2024-01-12 | 182 次浏览 | 分享到:

首先是因为碳化硅二极管采用的是肖特基结构,另外采用的是碳化硅材料,该材料是属于第三代宽禁带半导体材料,材料本身的性能就优于硅材料。

通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管,但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管,其优点:反向恢复特性很好,媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点:正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。

 

碳化硅二级管特点:

1)超快的开关速度并且开关特性不受结温的影响
2)超低的开关损耗,反响恢复时间为零
3) 正向压降(Vf) 为温度特性,易于并联


SiC MOS

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