一文看懂 | 选型不再纠结，SiC MOSFET和JFET该用谁、怎么用？

影响SiC MOSFET 电离总剂量效应的关键因素研究

SiC MOSFET由于栅氧化层较厚，在空间辐射环境中对电离总剂量效应敏感。测量辐照前后器件的阈值电压（VTH）变化是评估其抗总剂量特性的重要手段。本文通过开展不同阈值电压测试方法的比较，分析认为由下扫I-V 曲线提取器件阈值电压更为准确。......

SiC MOS器件关键技术研究

SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术。针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题，采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理，研究了低温退火条件下Ti／4H—SiC欧姆接触特性。I......

基于自适应浮空栅控制的双向导通沟槽型SiC MOSFET

针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon carbide metal-oxide-semiconductor fieldeffect tran⁃sistor， SiC MOSFET）在第三象限导通下的体二极管高损耗和双极退化问......

反激开关电源负载调整率的控制研究

SST| 大规模绿电接入下港口混合供能系统协同控制

港区混合供能系统引入光伏和风力发电，配合储能支撑，在接入大电网需要电力电子设备进行协调控制，采用 SST 作为核心装备的电力电子变压器，研究分布式电源出力波动下的协调控制技术，实现了微电网并离网的可靠切换，对上述情况进行仿真。 仿真结果表明......

基于单相电力电子变压器反馈的协调控制研究

随着智能电网技术的发展，固态变压器（ SST ）在高压大容量应用中越来越受到关注。特别是级联型电力电子变压器因其小型化和智能化特点成为首选方案。然而，由于制造工艺的差异和使用过程中的损耗不一致，导致了中间级电容电压和功率失衡的问题。为解决这......

氧化温度与NO退火组分协同优化提升SiC MOSFET界面特性与器件性能

针对碳化硅(SiC)金属一氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题，系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化......