SiC MOSFET的关断负电压（Negative Gate Voltage）用于确保在非导通状态下MOSFET完全关闭，避免由于栅极和源极之间的漏电或噪声引起的误导通。SiC MOSFET通常具有与传统硅MOSFET不同的栅极阈值电压，它们的栅极控制特性也有所不同。使用不同的关断负电压可能会有以下影响：

栅极阈值安全边际

• 使用更高的负电压（例如-3.6V比-2.4V）将提供更大的安全边际，从而确保MOSFET在不希望它导通时保持关闭。这对于噪声较多的环境或需要确保器件绝对关闭的应用尤其重要。

动态性能

• 较高的关断负电压可能会影响SiC MOSFET的开关动态。具体来说，当从关断状态转为导通状态时，栅极驱动电路需要提供足够的电压以克服更大的负偏置，这可能会略微影响开关速度。

驱动电路设计

• 驱动电路需要能够提供所需的负电压以及足够的电流以迅速充放电栅极电容。较高的负电压可能要求驱动电路具备更高的电压范围和功率容量。

器件应力

• 尽管SiC MOSFET能承受较高的栅极电压，但持续施加高负电压可能会对栅极氧化层造成额外应力，尤其是在高温条件下。选择负电压时，应参考器件的数据手册以避免超出最大栅极电压限制。

系统设计考虑

• 在系统设计中，可能还需要考虑到其它因素，如可用的栅极驱动器的规格、电源电压水平和系统功耗要求。

总体而言，尽管-2.4V和-3.6V的负电压都可能足以关断SiC MOSFET，但更高的负电压提供了更大的关断保证，可能更适合于严格要求下的应用。然而，确切的选择应基于详细的电路分析和实际的应用需求，同时参考器件的官方规格说明书。在确定关断电压时，应确保选择的电压值不会对栅极氧化层或整个器件造成损害。