SiC MOSFET内置的体二极管（也称为寄生二极管或内部二极管）在特定的应用场景中，比如在同步整流或者当MOSFET作为反向电流的路径时，会发挥作用。这个体二极管是由MOSFET的结构本身形成的，并非额外添加。它在MOSFET反向导通时提供了一个电流路径，这是在交换电流方向时常见的情况。与基于硅(Si)的MOSFET相比，碳化硅(SiC) MOSFET的体二极管表现出一些显著的优点，但也有其独特的挑战，特别是在反向恢复特性上。

反向恢复电流

反向恢复电流是指在二极管从导通状态切换到截止状态时，因为载流子注入和存储而流过二极管的电流。在二极管关闭（或恢复到非导电状态）之前，这个电流必须首先减小到零。在高速开关应用中，反向恢复电流会导致额外的功率损耗，并可能引起电磁干扰(EMI)。

SiC MOSFET体二极管的特性

1. 快速反向恢复：SiC材料的电子迁移率高于硅材料，这意味着SiC MOSFET的体二极管可以实现更快的反向恢复时间。这对于减少开关过程中的损耗和提高效率是非常有利的。

2. 低反向恢复电荷：SiC MOSFET的体二极管具有较低的反向恢复电荷(Qrr)，这减少了在开关过程中的损耗，并有助于提高系统的总体效率。

3. 高温稳定性：SiC MOSFET的体二极管在高温下仍保持良好的性能，这是因为SiC材料的带隙宽于Si，使其能够在更高的温度下操作而不会导致性能显著退化。

挑战

尽管SiC MOSFET的体二极管在反向恢复方面表现出色，但在某些情况下，快速的反向恢复特性可能会导致电压尖峰，这需要通过合适的驱动和施加适当的死区时间来管理，以减少系统中的干扰和损耗。

总的来说，SiC MOSFET的体二极管因其在高频开关应用中的高效率和低损耗特性而受到青睐，尽管如此，在设计时仍需考虑如何优化电路以充分利用这些优点，同时减少潜在的挑战。

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 25 ns

典型接通延迟时间： 16 ns

单位重量： 107.200 mg