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全桥塑封SiC功率驱动模块
来源: | 作者:张工 | 发布时间: 2024-07-10 | 228 次浏览 | 分享到:

1. 采用先进的银烧结工艺,AlN+AlSiC散热,最高工作结温200℃;

2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗。

DWC3模块EasyPACK模块EasyPIM模块Econodual模块HP1模块HPD模块XM3模块

DWC3模块特点

1. 采用真空回流焊工艺,AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用,超低损耗;

4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。


1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。


1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。


1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;

3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

4. 常关功率模块,零拖尾电流,寄生电感小于15nH,开关损耗低。


1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 适用高温、高频应用,超低损耗;

3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成。


1. AlN+AlSiC散热,最高工作结温175℃;

2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗。

 


SiC MOS

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