SiC双沟MOSFET结构是一种在半导体表面上两种型号沟隙（drain trench和source trench）技术。这类结构主要由三部分组成，它们分别是基底层、沟隙层和硅沟底层。基底层负责连接MOSFET到电源电压，而沟隙层提供一种重要的沟隙，它们负责有效抑制漏电。硅沟底层安装在沟隙上，它充当一个介质电子手柄，有效控制沟隙的大小。通过这种结构，可以极大地提高空间导率，有效抑制漏电，以及实现更稳定的外部压控模式。最终，该结构更易于实现高性能，高可靠性的MOSFET设计要求，并可提供更快的器件turn-on和turn-off时间。。