对于MOS管而言，其电容模型如下所示：我们知道MOS有S G D三个引脚，它们存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。由于米勒电容的存在，MOS的驱动波形在开通和关断过程中，会有一个“平台”，在一定时间内，驱动电压是不变的。这就是我们常说的“米勒平台”。

那么米勒平台到底是怎么形成的呢？

通常来说MOS的开关驱动过程，可以理解为驱动源对MOS的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOS就会进入开通状态；当MOS开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。在此过程中由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）

那米勒效应是怎么产生的呢？

米勒效应是由MOS管的米勒电容引发的，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。

为什么会有稳定值这段呢？

在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会降低MOS的开关速度，严重增加MOS的开通损耗。所以选择MOS时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。MOS中的米勒平台实际上就是MOS处于“放大区”的典型标志。用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。

下面我们来具体看一下米勒平台形成的过程。

T0-T1阶段：

这个过程中，驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升，Vds和Id保持不变。一直到t1时刻，Vgs上升到阈值开启电压Vgs(th)。在t1时刻以前，MOS处于截止区，不导通。

T1-T2阶段：

T1时刻，Vgs达到开启电压，MOS管就开始导通了，也就标志着Id要开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电，Id逐渐上升，在上升的过程中Vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。

T2-T3阶段：

从T2时刻开始，进入米勒平台时期，米勒平台就是Vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流Id最大。且Vgs的驱动电流转移给Cgd充电，Vgs出现了米勒平台，Vgs电压维持不变，然后Vds就开始下降了。MOS中的米勒平台实际上就是MOS处于“放大区”的典型标志。

T2-T4阶段：

当米勒电容Cgd充满电时，Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。

以上就是整个MOS管在完全导通时所经历的过程。

从曲线上看，米勒平台严重影响了我们的MOS管的开启速度，延长了开关时间，从而增加损耗，导致电路效率变低。另外低的开关速度也影响了MOS的稳定性。那我们有什么好的方法可以去改善这种现象呢？以下是我整理的一些对米勒平台的改善方案，仅供参考。

1、增加驱动电路中的电容：在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应，但这样做会延长开关时间。

2、选择Cgd小的MOS管：在选择MOS管时，尽量选择Cgd较小的器件，这有助于减少米勒平台的影响。

3、缩短驱动信号布线长度：减少寄生电感导致的米勒平台震荡电压过冲，并选择合适的栅极驱动电阻。

4、使用合适的门极驱动电阻：通过选择合适的门极驱动电阻RG来减缓米勒效应的影响。

5、在GS端并联电容：虽然会增加驱动损耗，但可以有效抑制寄生电压，防止米勒平台震荡。

6、提高驱动电压或者减小驱动电阻，目的是增大驱动电流，快速充电。但是可能因为寄生电感带来震荡问题；

7、ZVS 零电压开关技术是可以消除米勒效应的，即在Vds为0时开启沟道。

8、采用更快的驱动电路：可以提高MOS管的开关速度，从而减小米勒平台的影响。常用的驱动电路包括共源极驱动电路、共漏极驱动电路和共集极驱动电路等。

9、使用带米勒钳位的驱动芯片。米勒钳位的原理是，在MOS处于关断状态时，直接用一个低阻通路栅极连接到地，当位移电流出现时，将直接通过MOSFET流到地，不流过栅极电阻，自然也就不会抬升栅极电压，从而避免了寄生导通。

10、加入补偿电路，可以在输入信号快速变化时，提供更快速的反馈电路响应，从而消除MOS管开关时的晶体管寄生电容。

米勒平台是MOS管开关过程中的一个自然现象，无法完全消除。但是通过合理的电路设计和优化，可以减小其影响，提高MOS管的开关速度和效率。在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的优化措施，以达到最佳的性能和效果。

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