一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态
来源:
|
作者:杨工
|
发布时间: 2026-03-26
|
93 次浏览
|
🔊 点击朗读正文
❚❚
▶
|
分享到:
碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，正加速赋能新能源汽车、光伏储能、AI 算力电源等高端场景。本文汇总了 2025 年下半年~2026 年 3 月期间，国内华北、华东地区（华南、华中、西南下期汇总）重点 SiC 厂商的技术突破、产能扩张、市场布局及资本动态，完整呈现产业发展脉络（排名不分先后）。
碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，正加速赋能新能源汽车、光伏储能、AI 算力电源等高端场景。本文汇总了 2025 年下半年~2026 年 3 月期间，国内华北、华东地区（华南、华中、西南下期汇总）重点 SiC 厂商的技术突破、产能扩张、市场布局及资本动态，完整呈现产业发展脉络（排名不分先后）。 PS：所有动态信息均来自网络，真实性敬请甄别。2026 年 3 月，与中恒微签署战略合作，共建 SiC 晶圆制造 + 模块封装全链条闭环，加速 8 英寸产线落地。2026 年 2 月，受邀参加合肥市 “新春第一会”，推进 SiC 车规级器件与新能源汽车产业协同。2026 年 1 月，与深向科技签约，聚焦车规 SiC 功率器件联合开发与上车验证。2025 年 12 月，入选安徽省 “专精特新” 中小企业，SiC MOSFET/SBD 批量送样车载与工业电源客户。2025 年 9 月，合肥总部基地启用，首次亮相 PCIM Asia 2025，展示 6/8 英寸 SiC 晶圆、分立器件与模块。2025 年 8 月，启动 10 亿元 8 英寸 SiC 晶圆产线建设，规划 2026 年产能 30 万片 / 年。2026 年 2 月：召开年度工作会，将 SiC 等电力电子器件列入六大重点产业方向，推进高可靠第三代半导体产业化。2025 年 11 月：联合研制 β 相氧化镓功率二极管取得突破，功率品质因子超越 SiC 理论极限，验证下一代电力电子技术路线。2026 年 3 月，完成 E + 轮融资（瑞力投资领投），资金用于 SiC 产线扩产与车规级器件研发。2026 年 2 月，获 “高可靠分离平面栅碳化硅 VDMOS” 发明专利授权，优化器件可靠性与性能。2026 年 1 月，获 “5KV 高可靠沟槽栅碳化硅 VDMOS” 发明专利授权，强化高压 SiC 器件技术壁垒。2025 年 11 月，北京 SiC 器件生产基地项目进入土建施工阶段，预计 2026 年四季度完工。2025 年 10 月，获 “降低体二极管压降的碳化硅 MOSFET” 实用新型专利授权，降低器件损耗。2026 年 3 月：SiC 业务持续发力，650V–2300V 全系列 SiC 二极管与 MOSFET 在工业、光储充、新能源汽车等领域批量出货，同步推进沟槽栅 SiC MOSFET 研发与 8 英寸产线规划。2026 年 1 月：紫光国微披露并购预案，拟收购瑞能半导体 100% 股权，整合后将补齐紫光国微功率半导体（含 SiC）产业链，强化车规级 SiC 器件布局。2025 年 12 月：SiC 业务销售额突破亿元，连续两年高速增长（年均增幅 50%、出货量增超 100%），子公司瑞能微恩 6 英寸车规级 SiC 晶圆基地进入施工阶段。2025 年 11 月：SiC MOSFET 迭代至第三代（G3），比导通电阻优化至 2.1mΩ・cm²，平面栅结构功率密度领先，同时推进第四代沟槽栅 SiC MOSFET 研发。2026 年 3 月，车规级 SiC MOSFET 芯片年出货量超 2000 万只，累计为 600 万辆新能源汽车提供核心器件保障。2026 年 1 月，发布 1200V/1700V SiC 功率模块，适配 800V 高压主驱平台与储能变流器场景。2025 年 12 月，建成年产能 10 万片的车规级 SiC 晶圆产线，产品电压覆盖 650V–6500V。2025 年 11 月，数十款车规级 SiC MOSFET 芯片通过 AEC-Q101 认证，批量供应国内主流新能源车企。2025 年 9 月，亮相 PCIM Asia 2025，展出 750V/1200V SiC 电驱芯片及 1200V 塑封 SiC 功率模块。2026 年 3 月，8 英寸 SiC MOSFET 产线良率提升至 85%，单条产线实现盈利；SiC 业务收入占比目标 20% 以上。2026 年 1 月，与理想汽车合作的 BARE DIE 晶圆量产交付，用于 i 系列纯电车型；获欧洲车企及 Tier1 批量订单。2025 年 12 月，8 英寸 SiC MOSFET 器件送样欧美 AI 巨头，计划 2026 年批量供货；车规 SiC 获 25 个 Design win。2025 年 11 月，发布 SiC G2.0 技术平台（8 英寸），开关损耗降低 30%，覆盖电驱与 AI 电源场景。2025 年 10 月，8 英寸 SiC MOSFET 产线规模量产，规划 2026 年末 8 英寸 SiC 产能达 1.5 万片 / 月。2026 年 3 月，参与的 “分布式光储逆变器高效可靠变换和并网控制关键技术及应用” 项目获浙江省科学技术进步奖二等奖。2026 年 2 月，第四代 SiC MOSFET 大尺寸主驱芯片下线，流片良率与电阻达国际领先水平；8 英寸产线启动产能爬坡。2026 年 1 月，进入大众全球供应链，SiC MOSFET 批量供应欧洲头部车企主驱项目。2025 年 12 月，获国家级专精特新 “小巨人” 企业认定；1200V 40mΩ SiC MOSFET 获 “中国芯” 优秀市场表现产品奖。2025 年 11 月，通过 IATF16949 汽车质量管理体系认证，具备车规级产品量产资质。2025 年 10 月，获 “半导体功率器件及其制备方法” 发明专利授权，优化 SiC 器件制造工艺。2025 年，SiC 销售额超 1 亿元，出货量为 2024 年近 2.6 倍；从 Fabless 转型为 Fab-lite 模式。2026 年 3 月：厦门士兰集宏 8 英寸 SiC 产线一期竣工，启动试生产，达产后年产能 42 万片。2026 年 1 月：总投资 120 亿元的厦门 8 英寸 SiC 功率器件芯片产线正式通线，同步开工 12 英寸高端模拟产线。2025 年 10 月：6 英寸 SiC 衬底月产能达 5000 片、自给率 60%，SiC 成本较 2023 年下降 35%。2025 年 4 月：士兰明镓 6 英寸 SiC 产线月产 9000 片，车规 SiC 模块累计出货 5 万只，完成第四代 SiC MOSFET 开发。2026 年 3 月：获证监会批复发行不超 15 亿元可转债，其中 10.02 亿元投向车规级 SiC MOSFET 模块项目，达产后新增年产 280 万只 SiC 模块产能。2026 年 2 月：可转债发行申请通过上交所上市委审核，加速推进车规级 SiC/GaN 模块扩产计划。2025 年 12 月：车规级 SiC MOSFET 模块获欧洲头部车企 Tier1 10 万套订单，2026 年 SiC 模块营收目标 8 亿元。2025 年 9 月：上半年 SiC 模块营收近 3 亿元，同比增长超 100%，成为公司第二增长曲线。2025 年上半年：车规 SiC 模块在手订单超 16 亿元，产销率达 103%，1200V SiC MOSFET 量产良率达 75%。2026 年 3 月：发布新一代混动全集成域控制器，兼容 SiC 方案，适配高压平台与多场景混动车型。2025 年 11 月：800V SiC 电驱平台（第四代）实现大规模出货，电控效率≥99.7%，第三方供应商中领先。2025 年 9 月：创业板上市募资 36 亿元，用于电驱 / 电源扩产及 SiC 功率模组自研，强化供应链安全。2025 年 8 月：第五代混动双电控 PD59 获多家车企定点，基于 SiC 平台实现高压化、集成化突破。2025 年上半年：800V SiC 电驱系统批量装车，乘用车电控市占率 10.1%、第三方排名第一。2026 年 3 月，申请 “一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法” 专利，可降低制造成本、缩短工艺周期，宁波前湾新区生产基地完成搬迁。2026 年 1 月，与苏州念海消防达成合作，为 SiC 产线提供专用消防灭火装置保障。2025 年 12 月，获德业股份 2025 年度 “战略合作奖”，深化光伏储能领域合作。2025 年 11 月，T7 系列顶部散热 SiC MOSFET 获欧洲头部车企量产订单，适配车载空压机场景。2025 年 3 月，完成 A2、A3 轮近 5 亿元融资，用于 8 英寸 SiC 产线建设与研发。2025 年，SiC MOSFET 芯片装车量超 200 万辆，覆盖国内主流新能源车企。2026 年 2 月：入选《2025 年度创新独角兽榜单》与 “投中榜・锐公司 100 榜单”，第三代 1200V/750V 主驱 SiC MOSFET 性能达国际一流，车规 SMPD 半桥模块批量装车。
2025 年 12 月：揽获 4 项行业大奖，SiC MOSFET 累计交付约 4800 万颗，11 月销售额同比近翻倍，义乌晶圆厂二期扩产至月产 1 万片。2025 年 9 月：完成超 10 亿元 C 轮融资，用于临港二期扩产、第四代沟槽栅 SiC MOSFET 研发及车规模块封测产线建设。2025 年 7 月：第三代 1200V 35mΩ SiC MOSFET 量产交付近 200 万颗，义乌晶圆厂二期洁净间启用、产能翻倍。2025 年 3 月：1200V SiC 半桥 1B 封装模块量产，采用第三代沟槽栅技术，适配新能源汽车主驱等场景。2026 年 3 月：申请碳化硅电机控制器安全关管方法及系统专利，提升 SiC 电控关断安全性与可靠性。2026 年 1 月：递交港股 IPO 招股书，SiC 功率模块累计出货超 270 万片，2025 年前 9 月装机量达 74 万套。2025 年 12 月：重庆基地第 10 万台电控功率砖下线，总投资 2.33 亿元，2026 年规划产能 50 万台。2025 年 9 月：完成 E 轮融资二期交割，E 轮总融资超 6 亿元，用于 SiC 功率模块、电控量产及海外拓展。2025 年 8 月：与罗姆共建 SiC 联合实验室投运，完成多款 SiC 模块迭代开发。2025 年 7 月：重庆 SiC/IGBT 功率砖项目启用，规划年产能 90 万台，配套赛力斯、长安等车企。2025 年 5 月：获 6 亿元科创伙伴联盟贷款，加速 SiC/IGBT 模块研发与产能爬坡。2026 年 3 月：聚焦新能源汽车主驱 SiC 功率模块迭代，同步拓展光伏、储能领域模块，加速海外市场布局以应对国内竞争。2025 年 6 月：搭载罗姆第四代 SiC MOSFET 芯片的功率模块，正式为丰田 bZ5 纯电车型主驱逆变器批量供货。2025 年 3 月：获 “集成驱动和发电功能电路的功率模块布局结构” 专利授权，提升功率体积密度、降低系统成本。2026 年 3 月：获省级专精特新、瞪羚企业认定，杭州宽禁带模组基地启动建设，同步推进 AIDC 电源模块研发。2026 年 1 月：完成 2.5 亿元 Pre-A 轮融资，用于 SiC/GaN 技术研发、产能扩张及海外市场拓展。2025 年 12 月：车规级主驱 SiC 模块累计交付 20 万颗，配套上汽智己、奇瑞捷途等，第三方塑封模块市占率超 50%。2025 年 10 月：第 10 万颗 SiC 车载电驱模块下线，杭州宽禁带模组生产基地项目正式立项。2025 年 7 月：800V 平台高端电驱 SiC-DCM 塑封模块交付突破 2 万颗，配套国内高端新能源乘用车2026 年 3 月，第四代 1200V SiC MOSFET 工程样品完成验证，Rsp 降至 1.8mΩ・cm²，推进 8 英寸车规级主驱晶圆量产。2026 年 1 月，车规级 SiC MOSFET（AEC-Q101 认证）批量供应车载 OBC 与主驱项目，1200V SiC 器件累计出货超 3400 万颗。2025 年 12 月，亮相零跑智能汽车技术论坛，深化车企合作，第四代 SiC MOSFET 计划 2026 年 Q2 推出。2025 年 11 月，与头部代工厂共建的国内首批全自动 8 英寸 SiC 产线即将量产，电压覆盖 650V–2000V。2026 年 3 月，获扬州科融基金数千万元投资，深化与和而泰近亿元家电合作，推进 SiC 模块车规认证与批量交付。2026 年 2 月，嘉善基地 SiC 产线产能爬坡，高功率密度混合灌封 SiC 模块完成车规级可靠性验证。2025 年 12 月，SiC 模块批量供应国内头部新能源车企，光伏 / 储能领域获批量订单，全年 SiC 营收同比增超 150%。2025 年 11 月，完成数亿元 B + 轮融资（国科长三角资本领投），用于 SiC 产线扩建、车规模块研发及市场拓展。2026 年 3 月，2025 年 SiC 模块交付量破 10 万套、客户端 “零失效”，2026 年产能目标 60 万套。2026 年 1 月，秀洲基地 SiC 产线持续爬坡，与中车时代半导体深化 SiC 芯片与封装合作。2025 年 12 月，SiC 模块全面配套极氪全系车型，采用 “铜 Clip 焊接 + 环氧灌封” 封装工艺。2025 年 11 月，秀洲基地一期投产，首颗 SiC 功率模块下线，规划年产能 60 万套车规级功率模块。2026 年 3 月，长城汽车完成对无锡芯动剩余 80% 股权收购，实现 100% 控股，强化 SiC 功率模块垂直整合。2026 年 1 月，获 IATF 16949 质量管理体系认证，无锡第三代半导体模组封测基地规划年产能 120 万套。2025 年 12 月，发布 “具有增强散热结构的功率模块” 专利，提升 SiC 模块散热效率与可靠性。2025 年 11 月，完成经营范围工商变更，新增汽车零部件制造、电机控制研发等业务。2026 年 3 月，聚焦电焊机能效升级，SiC MOSFET 方案适配新国标，推进丽水封测基地设备安装与西安第二总部建设。2026 年 1 月，获两项 SiC 核心专利授权（含下一代沟槽型 UMOS 结构），累计专利 51 项（发明专利 47 项）。2025 年 12 月，2025 全年 SiC 器件出货量超 2143 万颗（同比 + 177%），车载占比超 70%（1503 万颗，同比 + 1046%）；BMS 领域市占率全国第一。2025 年 11 月，完成 B + 轮融资超 2 亿元，用于西安第二总部建设、SiC 研发及丽水封测基地扩产。2026 年 3 月，申请碳化硅超结 MOSFET 专利，优化器件结构提升短路耐受能力，降低热失控风险。2026 年 1 月，推进 650V–1700V 全电压段 SiC MOSFET/SBD 产品迭代，加速车规级产品 AEC-Q101 认证。2025 年 12 月，与应电展业深化战略合作，2026 年目标海外营收 3 亿元，同步布局北美市场。2025 年 11 月，完成对无锡众享科技、上海锴威半导体并购，强化 SiC 研发与本地化能力。2026 年 3 月，依托宏微科技技术协同，推进 1200V SiC MOSFET 车规级模块迭代，适配 800V 高压平台。2026 年 1 月，深化与国内头部新能源车企合作，SiC MOSFET 器件批量交付，进入主驱逆变器供应链。2025 年 12 月，产线累计下线第 100 万只车规级电驱双面散热塑封模块，国内第二家实现该规模量产。2025 年 11 月，完成产线扩产，SiC 模块月产能突破 10 万只，支撑头部车企订单交付。2026 年 3 月，碳化硅智能悬架电控系统进入 C 样阶段，计划 2026 年批量交付、2027 年大规模放量，同时碳化硅热管理空压机控制器方案市占率领先。2026 年 2 月，多项碳化硅功率模块封装、控制器结构相关发明专利获授权 / 公开，强化低电磁干扰、高压封装等技术壁垒。2026 年 1 月，完成近 3 亿元 C 轮融资，由浙江国资基金领投、士兰微等参与，用于 8 英寸 SiC 器件研发、二期晶圆厂扩产（规划年产能至 50 万片 6 英寸）及海外市场拓展；全资控股致瞻新能源（浙江），整合 SiC 产业资源。2025 年 12 月，车规级碳化硅 MOSFET 通过 AEC-Q101 认证，性能达国际一线水平，同步推进 800V 算力中心电源 SiC 方案布局。2025 年 11 月，碳化硅液冷超充模块获欧洲头部企业长期供货协议，锁定数亿元订单，岚图 5C 超充技术亦采用其 SiC 电源模组。2026 年 3 月，推进 1200V 车规级 SiC MOSFET 模块量产，HPD 系列模块获多家车企主驱逆变器定点，同步拓展 800V 超充与储能市场。2026 年 1 月，江阴 6–8 英寸兼容功率半导体制造项目（总投资超 10 亿元）封顶，成为国内少数可兼容 6–8 英寸 SiC 晶圆特色工艺的 IDM 厂商。2025 年 12 月，获评 “2025 中国汽车芯片功率类优秀供应商”，1200V/1.7mΩ HPD SiC 模块入选《2025 中国汽车芯片供给手册》。2025 年 11 月，无锡测试应用中心（NTAC）启用，与南京理工大学共建功率半导体联合实验室，联合尼得科布局 eVTOL 高功率 SiC 方案。2026 年 3 月，完成亿元级 Pre-B + 轮融资（扬州国金、龙投资本领投），资金用于扬州 10 亿元车规级 SiC 模块封装测试基地建设（规划年产能 300 万只，一期 2026 年竣工、2027 年 3 月投产），同步拓展 AI 算力、电网 SST 市场。2026 年 1 月，1200V–3300V 多款 SiC 模块进入国内外客户 SST 样品测试与可靠性验证阶段，预计 2027 年规模化放量。2025 年 12 月，欧洲销售服务中心启用，海外收入占比超 50%，产品出口 20 余国，电网、新能源重卡、变压器领域实现稳定量产。2025 年 11 月，推出 1700V SiC 模块、大电流 ED3 系列，填补国产高端 SiC 模块空白，适配高压电网与工业电源场景。2026 年 3 月，聚焦 SiC 模块封装与应用，依托 Fab-lite 模式推进 1200V/1700V SiC 器件在储能、SVG、新能源商用车等场景批量验证，同步布局特高压柔直 SiC 应用方案。2026 年 1 月，完成 IGBT/SiC 模块封装产线（焊接式年产 30 万只、压接式年产 5 万只）建设，具备 SiC 模块量产能力，强化电网与新能源场景 SiC 应用交付。2025 年 12 月，终止 IGBT/SiC 芯片制造环节投资，转向模块设计、封装、测试及应用，采用 Fab-lite 模式保障晶圆供应，节余资金投向数字孪生与储能项目。2025 年 11 月，完成 IGBT/SiC 器件芯片及模块设计环境与生产线主体建设，建成 SiC 模块测试与可靠性验证平台，支撑中低压 SiC 器件研发与客户验证。2026 年 3 月，SiC 晶圆产线月产能由 2500 片扩至 5000 片，第三代 SiC MOSFET（RSP≤3.33mΩ・cm²）批量供货，车规模块获比亚迪、小米等定点，北美市场销量占比升至 10%。2026 年 2 月，扬州年产 200 万只功率模块封装项目（含 90 万只 / 年 SiC MOSFET 模块）竣工投产，同步推进 10 亿元车规级 SiC 模块封装项目建设。2026 年 1 月，获全国首张 SiC 芯片国产化认证，实现衬底 — 芯片 — 封装全链条自主可控；与东南大学共建宽禁带半导体联合研发中心。2025 年 12 月，越南工厂二期通线，海外收入占比提升至 15%，SiC 产品进入阳光电源、华为数字能源等头部供应链。2025 年 11 月，入选北美 SiC 功率器件领先厂商名单（与英飞凌、Wolfspeed 并列），1200V SiC MOSFET 在光伏逆变器、AI 服务器电源领域批量出货。2026 年 3 月，第四代 1200V SiC MOSFET 完成研发进入小批量试产与终端验证，SiC MOSFET 塑封模块获国内头部 Tier1 主驱电控 A 样定点并切入 800V 高压平台。2026 年 2 月，发布 2025 年业绩快报，SiC 业务成核心增量，SiC 产品获国际头部电源厂商认证并批量进入数据中心 HVDC、AI 算力电源供应链。2025 年 12 月，SiC 二极管、第二代 / 第三代 1200V SiC MOSFET 规模化量产，自研 Si₂C MOSFET 在车载 OBC、通信电源批量出货。2025 年 11 月，SiC 模块主打内绝缘顶部散热 + 高功率密度适配液冷算力电源与车规场景，第四代 SiC MOSFET 平台定型并计划 2026 年全面量产。2026 年 3 月，宣布 SiC 业务迈入出海元年，推进第七代 SiC MOSFET 研发，优化比导通电阻、开关频率与抗辐射能力。2026 年 1 月，入选中汽协 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单，1200V SiC MOSFET 为 5 款入选汽车功率类芯片之一；获 “中国 SiC 器件 Fabless 十强企业” 及 “SiC MOSFET 年度优秀产品奖”。2025 年 12 月，SiC 器件在车载 OBC、主驱、BMS 及 AI 数据中心电源领域批量出货，获多家头部新能源车企定点。2025 年 11 月，完成 C + 轮融资，持续推进湖州封测基地建设，构建 “晶圆制造–封装测试” 稳定供应链。2026 年 3 月，获屏蔽栅沟槽 MOSFET 器件实用新型专利授权，优化 SiC/GaN 功率器件散热性能。2026 年 2 月，获氮化镓功率模块热阻测试方法发明专利授权；启动年产 60 万只新型电力电子模块（含 SiC 模块）生产线技改项目环评。2026 年 1 月，依托江苏省第三代功率半导体模块工程研究中心，推进 1200V/1700V SiC 功率模块车规级验证，适配新能源汽车主驱与充电桩场景。2025 年 12 月，SiC 模块在工业变频、光伏逆变器领域批量出货，获国内头部电源企业定点，同步拓展海外市场。2025 年 11 月，获半导体模块封装结构实用新型专利授权，提升 SiC 模块封装可靠性与良率。2026 年 3 月，碳化硅衬底离子注入硬掩膜层结构及方法专利公开，提升 SiC 制造产能与良率。2026 年 1 月，发布两款 1400V SiC MOSFET 新品（40mΩ/80mΩ），面向 800V + 高压新能源与工业场景。2025 年 11 月，1400V SiC 功率器件批量应用于安世博 G3 单级拓扑充换电模块，落地深圳充换电展。2025 年 6 月，香港子公司杰立方获港府支持，推进 8 英寸 SiC 晶圆厂扩产（月产 3000→6000 片），总投资 69 亿港元。下期分享华南、华中、西南地区厂商最新动态... ...
欢迎行业专业人士在评论区讨论互动！【抛砖引玉 . 筑巢引凤】
免责声明：1）来源：本公众号文章及图片均来自公开网络，旨在分享，不代表本号观点或对真实性负责。2）版权：若转载内容涉及版权，请原作者联系我们，将及时删除。3）责任：用户使用文章内容时需自行判断，因内容引发的所有损失，本号不承担法律责任。4）解释：本声明的最终解释权归本公众号所有，未尽事宜以法律法规为准。
