SiC平面MOSFET（又被称为SiC-MOSFET）是一种基于硅碳结构的可控整流器，是通过I-V曲线的改变来实现模拟电路的运行的。它的基本原理是由一对对称的p－n结构实现的可控晶体管，它的特点是有更高的饱和电压，更强的击穿电压和更低的可变量，因此可以更有效地控制电流。更具体地讲，SiC-MOSFET的工作原理是将硅碳介质当作介质在晶体管中实现可控反向导通。当模拟电压超出晶体管的饱和电压（该值对于每一种晶体都不同）时，晶体管将完全导通。因此，通过改变模拟的输入电压来控制晶体管的导通，从而控制模拟线路的运行。