国外研究现状

国外对于高压SiC mosfet的研究正在逐步深入，主要集中在高压SiC mosfet的设计、制备和检测等方面。近两年来,Sic Mosfet已经突破了2600V的峰值隧道电压,晶面绝缘特性高达200MV•cm-1,静态性能达到了半桥拓扑中单芯片500A/1700V,并可支持恒定电流和恒定电压调节器操作。除此之外，还有针对固体染料太阳能设计的SiC Mosfet，满足这些应用的需求。

国内研究现状

国内针对高压SiC mosfet的研究仍处于起步阶段，主要集中在晶格布局、设计原理、制备技术等方面。为了满足不同应用场合需求，研究者们探索了各种设计技术，如多腔设计并联结构方法，用以提高可靠性和峰值堆成电压，以开发高功耗模块和功率模块。研究者们还尝试开发500V和650V的单芯片mosfet结构，为更多电力驱动应用提供了技术支持。

展望

今后，Sic MOSFET的研究将注重以下方面：

（1）提高设计的可靠性，包括增加自流返电流，有效控制回流晶体管，降低可见妄想；

（2）提高峰值拓扑电压，主要是以双极拓扑实现；

（3）精细化制备技术，尤其是交叉开口中空MOSFET结构，以实现高峰值堆成电压，高性能；

（4）开发高功率模块，主要针对电机和新能源驱动系统；

（5）开发更高压的MOSFET，满足电力应用中更高额定电压的需求；

（6）优化驱动电路设计，以提高驱动能力；

（7）改善MOSFET的熔断性能，以实现可靠的断路保护；

（8）进步安全性能，以确保用户安全。总之，深入地探讨相关的研究，可为电力应用开发更先进的MOSFET提供有效技术支持。