嗯，用户问的是碳化硅MOS在哪些应用中不需要负压关断，需要逐一列举并结合电路原理详细分析。首先，我得先理解什么是负压关断以及为什么通常需要它。负压关断一般是为了确保MOSFET在关断时栅极电压足够低，避免误导通。尤其是在高开关频率或高dv/dt的情况下，栅极的寄生电容可能耦合足够的电压导致器件意外开启，这时候负压关断就比较重要了。

那碳化硅MOSFET和传统的硅基MOSFET有什么不同呢？碳化硅的阈值电压可能更高，或者导通电阻更低，所以在某些情况下可能不需要负压关断。接下来需要找出哪些应用场景下不需要负压关断。可能的应用包括低频开关、低电压应用、软开关拓扑、温度较低的环境、特定栅极驱动设计、冗余设计以及特定负载条件等。

接下来要逐一分析每个应用，结合电路原理。比如在低频开关场合，开关频率低，dv/dt较小，栅极耦合的电压不足以导致误导通，所以不需要负压关断。这时候可以省去负压电源，简化驱动电路。但需要确认碳化硅MOSFET的阈值电压是否足够高，比如高于3V的话，可能更安全。

然后是低电压应用，比如低于600V的系统，关断时的电压应力较低，dv/dt可能不那么陡峭，栅极耦合的电压也较低。这时即使没有负压，栅极电压也能维持在阈值以下。不过需要考虑实际情况中的瞬态响应，是否有足够的裕量。

软开关拓扑如LLC谐振转换器，开关过程中的电压和电流变化较为平缓，dv/dt较低，减少了耦合到栅极的电压，可能不需要负压关断。但需要确认软开关的实现方式，是否确实降低了dv/dt。

温度方面，高温下阈值电压会降低，但如果在低温或常温下工作，阈值电压较高，可能不需要负压。这里可能需要引用碳化硅器件的温度特性，比如阈值电压随温度的变化情况。

驱动设计方面，如果驱动电阻足够小，或者有强下拉电路，可以快速泄放栅极电荷，避免电压耦合导致的误导通。这时候即使没有负压，也能可靠关断。但需要注意驱动电路的布局和寄生参数的影响。

冗余设计可能是在多并联器件中，即使某个器件轻微误导通，系统仍能正常工作，但这种情况下可能牺牲效率和可靠性，需谨慎考虑。

特定负载条件，比如负载电流小，关断时的di/dt低，可能减少电压尖峰，从而降低误导通风险。但这也取决于具体的负载特性。

需要验证这些场景是否合理，有没有遗漏的应用，或者是否存在错误的分析。比如，是否所有的软开关拓扑都不需要负压关断，或者在某些条件下仍然需要？另外，还要考虑碳化硅MOSFET的具体参数，如Ciss、Crss等，这些电容参数是否会影响栅极耦合电压的大小。

可能还需要参考一些实际应用案例或文献，看看哪些应用确实没有使用负压关断，并分析其原因。比如电动汽车的OBC或者光伏逆变器中是否有这样的设计。

总结下来，需要将这些点整理成清晰的列表，每个应用场景详细说明其电路原理，并结合碳化硅的特性进行分析。确保每个点都有理论支持，并且逻辑严密，没有错误。

碳化硅（SiC）MOSFET因其高开关速度、低导通损耗和高温耐受性，在电力电子领域得到广泛应用。是否需要负压关断（Negative Voltage Turn-off）取决于具体应用场景和电路设计需求。以下是不需要负压关断的典型应用场景，并结合电路原理详细分析：