当生成式 AI 完成一次问答、绘制一幅图像时,背后是服务器算力的高速运转,更是电力的持续消耗。如今,AI 算力正以指数级增长,智算中心这个 “电老虎” 的胃口越来越大 —— 据测算,2025 年全球数据中心总用电量中,人工智能业务占比将从 2% 飙升至 10%;到 2027 年,单机柜供电量将从千瓦级(kW)跃升至兆瓦级(MW),80% 的数据中心将面临能源供给与散热的双重瓶颈。

传统 380V 交流供电架构,早已跟不上 GW 级 AIDC 的需求。从电网到芯片,电力要经历变电站、UPS、列头柜、服务器、芯片 5 次交直流转换,整体能效利用率仅 84.5%。以一座 30MW 的智算中心为例,一年就有 3259 万元电费白白损耗在转换过程中,还面临设备成本高、新能源接入难等问题。
破局的关键,藏在 “高压直流” 里。浪潮信息元脑服务器基于高压直流(HVDC)理念,从机柜侧到节点侧进行全链条创新,推出 800V 高压直流供电架构,将智算中心供电损耗从 15.5% 降至 9.7%,用三大核心技术重构 AIDC 供电体系,开启高效、低耗、绿色的供电新范式。

1 技术突破一:HVDC 替换 UPS,高压直流 “一步到柜”
传统供电架构中,UPS(不间断电源)是 “耗电大户”—— 它需要反复进行 “交流 - 直流 - 交流” 转换,既增加损耗,又占用设备空间。元脑服务器直接用 HVDC 技术替换 UPS,从电网侧 10kV 电压一步转化为 800V 高压直流电,彻底省去中间冗余的转换环节。

这一改变带来多重优势:一是大幅减少设备数量,降低线路损耗与机房散热压力;二是天生适配新能源,光伏、风能等绿色电力可直接并网,无需额外适配设备;三是简化供电链路,让电力从电网到机柜的传输更直接、更高效,为后续的 “算力转化” 打下基础。
2 技术突破二:第三代半导体电源模组,效率拉满 98%
800V 高压架构的核心,在于 “能扛住高压的高效电源”。元脑服务器研发团队围绕电源技术做足文章,基于氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC MOS)材料的高频特性,打造出多模组并联的 HVDC 服务器电源,将供电效率提升至业界领先的 98%。
通过自研动态均流技术,能让多个电源模组均衡供电,避免单模组过载,大幅提升 AI 服务器的供电可靠性;第三代半导体器件的超低导通电阻率,让电源供电损耗减少 50% 以上,单柜可支撑 430kW~720kW 的大功率供电,轻松应对 AI 高负载场景;更关键的是,800V 高压使整机柜供电电流减小 70%,铜缆、铜排使用量大幅降低,既节省机房空间,又降低理线难度与建设成本。
为应对 800V 高压对元器件的考验,元脑服务器还联合产业链上下游,构建起基于 800VDC 技术的第三代半导体生态链 —— 从优化安规器件、功率器件的耐高压特性,到改进厂商加工工艺,全方位保障电源稳定,推动整个算力产业的节能创新。

3 技术突破三:VPD 垂直供电,打通 “算力最后一公里”
电力到达机柜后,还要精准输送到 AI 芯片,这是 “电能转算力” 的最后一公里,也是技术难点。元脑服务器自研的 VPD(Vertical Power Delivery)垂直供电技术,直接在芯片背面搭建供电路径,将路径长度缩短 60% 以上,能耗损失降低 66%,让芯片能获得更稳定、更接近设计值的电压,性能与能效同步提升。
针对 AI 算力波动频繁的特点,VPD 技术还搭配了多相动态电流调节功能 —— 能在微秒级内响应算力变化,实时调整供电电流,确保核心芯片始终稳定满功率运行,不浪费每一份电力,也不辜负每一次算力需求。
从电网侧的 800V HVDC 架构,到机柜侧的第三代半导体电源模组,再到芯片侧的 VPD 垂直供电,元脑服务器完成了 “电力到算力” 的三次能量接力。这不仅让 30MW 智算中心年省电费超千万元,更让智算中心用更少能耗释放更强 AI 能力,为产业节能减碳、绿色智算提供了可持续路径。

基于第三代半导体的元脑服务器 800V 供电架构核心技术参数
传统架构基准:采用 380V 交流供电,从电网到芯片需经历 5 次交直流转换,整体能效利用率仅 84.5%,供电损耗约 15.5%。
800V 架构突破:通过全链条创新,供电损耗降至 9.7%,对应整体能效利用率提升至 90.3%,达到业界领先水平。实际效益转化:以 30MW 智算中心为例,年电费损耗从 3259 万元降至约 1989 万元,年节省电费超千万元。

1. HVDC 高压直流输入系统电压等级:直接构建 800V 高压直流链路,从电网侧 10kV 电压一步转化至机柜侧,省去传统 UPS 的 “交流 - 直流 - 交流” 冗余转换环节。新能源适配性:天生兼容光伏、风能等绿色电力,可直接并网无需额外适配设备,助力低碳运营。系统简化度:大幅减少变电站、列头柜等设备数量,降低线路损耗与机房散热压力。2. 第三代半导体氮化镓(GaN)HVDC 电源模组供电效率:基于氮化镓高频特性设计,多模组并联架构下效率达 98%,为业界领先水准。功率支撑能力:单柜可稳定支撑 430kW~720kW 大功率供电,适配 AI 高负载运行需求。损耗优化:借助氮化镓器件超低导通电阻率,电源供电损耗较传统方案减少 50% 以上。电流与材料优化:800V 高压使整机柜供电电流减小 70%,铜缆、铜排使用量显著降低,节省机房空间并降低理线难度。可靠性技术:搭载自研多模组并联动态均流技术,实现各模组均衡供电,避免单模组过载风险。3. VPD 垂直供电技术(芯片侧)供电路径优化:在芯片背面构建供电通道,路径长度缩短 60% 以上,能耗损失降低 66%。电压稳定性:保障芯片 die 获得更接近设计值的稳定电压,同步提升芯片性能与能效。响应速度:搭配多相动态电流调节技术,可在微秒级内响应 AI 算力波动,确保核心芯片稳定满功率运行。
针对 2027 年单机柜从 kW 级向 MW 级跃升的趋势,可满足未来高功率密度需求,80% 以上面临能源瓶颈的数据中心均可适用。生态兼容性:联合上下游构建氮化镓生态链,优化安规器件、功率器件的耐高压特性,改进加工工艺以适配 800V 高压环境。HVDC架构对服务器供电系统影响,未来是选氮化镓还是碳化硅?
1 HVDC 架构对服务器供电的帮助
提升效率与可靠性
传统 AC UPS 架构涉及多次交直流转换(AC-DC-AC-DC),能量在每个环节都有损耗,端到端效率通常为 90% 至 94.5%。而 HVDC 架构通过在前端设置集中式整流系统,将输入的交流电一次性转换为 400V 或 800V 等高压直流电,然后直接分配至各个服务器机柜,大幅简化电力转换链条,将系统故障点减少超过 50%,端到端效率提升至 95% 以上,部分先进系统甚至可达 98%。优化成本与空间
HVDC 系统占用的物理空间比传统 UPS 方案减少 30% 至 40%,设备采购成本可降低 15% 至 20%。采用 800V HVDC 方案,还能将铜缆用量减少 45%,显著降低基础设施的物料成本。更好地集成可再生能源
HVDC 架构能够与光伏等可再生能源发电系统和电池储能系统 BESS 无缝集成,符合现代数据中心绿色低碳的运营战略,有助于降低电能使用效率 PUE 值和运营成本 OPEX。适应高功率密度需求
直流系统天然支持高功率密度设计,与服务器机架的直接直流供电兼容性更好,可降低布线复杂度,能更好地满足 AI 服务器等高功率密度设备的供电需求。
2 HVDC 架构应用于服务器供电的难点
服务器电源适配性问题
当前大部分服务器电源适配 240 伏的直流电,若采用更高电压的 HVDC 供电方案,如 400V 或 800V,就需要更换服务器电源。对于服务器厂家来说,在面对小批量订单时,通常不会单独定制直流输入电源,这在一定程度上限制了 HVDC 的推广应用。安全性要求高
HVDC 电压较高,更容易造成致命性人身伤害,因此需要在安全防护方面投入更多资金,如配备直流断路器、直流配电柜和完善的保护措施等,这使得 HVDC 的单体造价高于 UPS。对市电质量要求较高
虽然 HVDC 对电压波动和频率变化不敏感,但整体而言,其系统对市电的稳定性等质量指标仍有较高要求,相比之下,UPS 在这方面更为成熟。技术标准和规范不完善
HVDC 在数据中心供电领域的应用相对较新,相关的技术标准和规范还不够完善,这也给其大规模推广和应用带来了一定的阻碍。
3 HVDC 架构中半导体材料的应用
目前主要使用碳化硅
在 HVDC 架构中,目前主要使用的是碳化硅(SiC)器件。例如,英伟达计划于 2027 年全面量产 800V 高压直流数据中心架构,就将碳化硅作为核心。使用碳化硅的原因
低损耗
碳化硅具有低导通电阻,可显著降低导通损耗,适合 HVDC 的高电流场景。其内置的 SiC 二极管无反向恢复问题,能减少开关损耗和 EMI,提升转换效率。高频与高温性能好
碳化硅器件支持 MHz 级开关频率,可缩小 HVDC 系统中磁性元件体积,提升功率密度。同时,模块支持 175°C 结温,结合集成 NTC 温度传感器,增强了热管理能力,能适应数据中心高负载工况。可靠性高
碳化硅器件具有低电感设计,模块内部寄生电感仅 8nH,可抑制电压尖峰,降低开关应力,延长系统寿命。其高阈值电压也使得抗噪声干扰能力强,减少了误触发风险,适合 HVDC 复杂的电磁环境。

目前HVDC架构在服务器占比是多少?未来趋势会怎样?
目前服务器高压架构的占比相对传统架构仍较小,但呈现快速增长趋势。未来,随着 AI 服务器功率需求的不断提升,服务器高压架构有望成为主流。以下是具体分析:
当前占比
根据相关行业分析,2025 年全球 HVDC 渗透率有望从 15% 跃升至 40%。这意味着在 2025 年,大约有 40% 的服务器供电系统会采用高压直流(HVDC)架构,而传统的交流不间断电源(AC UPS)架构占比则会相应下降。未来趋势
渗透率持续提升
英伟达计划在 2027 年下半年推出全系标配 800V 的 Rubin Ultra,单机柜达兆瓦级,这将倒逼电源系统升级,推动 HVDC 架构的快速普及。中金公司测算,2025-2027 年 AI 服务器电源模组规模将以 110% 的复合增速扩张,高压直流(HVDC)+ 固态变压器(SST)架构有望自 2027 年起实现放量。与固态变压器结合
固态变压器(SST)作为能直接将高压市电转 800V 直流的革命性技术,具有效率高、体积小、灵活性高、预制化设计等优点,预计 2026 年很多厂商会推出 SST 样机,2028 年可能批量使用,届时会颠覆现有供电格局。HVDC 架构与 SST 的结合将成为未来服务器供电系统的重要发展方向。推动功率半导体发展
英飞凌预测,集中式高压直流架构中功率器件成本占比将从现有交流系统的 18% 提升至 23%-25%,这将推动碳化硅功率模块市场规模在 2030 年前突破 200 亿美元,促进功率半导体行业的发展。促进绿色低碳发展
HVDC 架构具备天然的新能源友好性,光伏、风能等绿色能源并网更便捷,有助于实现能源高效转换和绿色低碳目标。随着全球对环保和可持续发展的重视,HVDC 架构将更符合数据中心的发展需求,进一步推动其在服务器供电中的应用。
未来,随着 AI 算力持续增长,供电效率将成为服务器竞争的核心。毕竟,算力的尽头是电力,而电力的未来,在于高效利用。
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