明古微半

MGME   SEMICONDUCTOR

136 7022 5257
业务热线:

碳化硅功率器件+电驱方案

新能源汽车.充电桩.工业电源.光伏储能.电力电子.低空飞行器...

技术学院

STUDY

IGBT炸了车还能跑?解析华为故障容错技术:电机控制器短路隔离专利
来源: | 作者:刘工 | 发布时间: 2026-04-30 | 39 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:

摘要

随着电动汽车市场的快速增长,电驱动系统的可靠性成为核心关注点。IGBT 短路故障作为电机控制器最常见的功率器件失效模式,传统方案通常采取强制断电保护策略,导致车辆立即抛锚,在高速或危险场景下存在严重安全隐患。本文基于华为申请专利CN 121822160 A《电机控制器及其短路隔离功能》,深入解析一种创新的故障容错技术方案,该方案通过物理隔离开关模块实现故障相与电机绕组的电气隔离,使车辆在IGBT短路故障后仍能维持跛行模式继续行驶。


图片

一 技术背景与行业痛点

1.1 IGBT 短路故障机理

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电机控制器的核心功率开关器件,其典型应用拓扑为三相全桥逆变电路。当IGBT发生短路击穿故障时,典型失效模式包括:

图片

失效特征(根据 Infision 社区技术分析):

  • 电压瞬变:UCES 两端电压突然升高,可达数百伏
  • 电流激增:短路瞬间电流可达正常值的10倍以上
  • 器件温升:局部温度瞬间突破150°C,导致PN结损毁

1.2 传统解决方案局限性

图片
图片

二 专利核心技术创新

2.1 电路拓扑重构

专利CN 121822160 A 的核心设计是对传统三相全桥逆变电路进行桥臂中点串联隔离

图片
图片

关键技术特征

  1. 开关模块(114)位置

    串联于IGBT桥臂中点与电机绕组之间
  2. 隔离执行器

    可采用继电器、机械接触器或固态功率开关
  3. 控制信号路径

    故障检测电路→控制单元→开关模块驱动电路

2.2 故障检测与响应时序

基于专利电路设计,系统响应流程如下:

图片

2.3 数学模型分析

三相系统正常工况下的电流方程(静止坐标系):

图片

缺相运行时的等效模型(以A相隔离为例):

图片

根据磁动势不变原理(参考文献),容错控制需重新分配非故障相电流:

图片


图片

三 技术优势深度解析

3.1 安全性维度

图片

3.2 预计成本效益分析

传统双控制器冗余:

  • 主控制器:¥12,000
  • 备用控制器:¥12,000
  • 冗余线束:¥3,000

总计:¥27,000

华为专利方案:

  • 主控制器:¥12,000
  • 3 个开关模块:¥1,500
  • 检测电路:¥500

总计:¥14,000

预计成本节省:约48%

3.3 系统可靠性指标

图片

四 工程实施挑战与解决方案

4.1 开关模块选型权衡

图片

推荐方案:采用固态继电器作为折中,平衡响应速度与导通损耗。

4.2 缺相运行转矩脉动抑制

图片

4.3 热管理设计

图片


五 对比竞品技术方案

5.1 小米专利 CN 202410937641.8

小米同样提出多相电机缺相容错控制,但技术路径有所不同

图片

5.2 长城汽车专利 CN 202420537191.4

长城汽车提出主动短路电路设计,侧重于故障状态下的安全短路处理,而非容错运行。


六 应用场景与商业价值

6.1 目标应用场景

高安全要求场景(必须配置):高端乘用车(L2+自动驾驶)、商用物流车(夜间运输)·应急车辆(消防、救护)

中安全要求场景(可选配置):城市公交、网约车、出租车

低安全要求场景(暂不推荐):低速代步车、场区作业车

6.2 商业价值测算

图片


七 技术局限性说明

尽管该专利具有显著优势,但在工程实践中仍存在以下限制:

图片


八 总结与展望

华为专利CN 121822160 A代表了电机控制器容错技术的一个重要发展方向:

8.1 技术创新总结

  1. 架构创新

    桥臂中点串联隔离开关的物理隔离思路,区别于纯软件容错
  2. 成本优势

    仅需3个开关模块即可实现三相故障隔离
  3. 功能安全

    满足ISO 26262 ASIL-D等级对故障安全状态的要求

8.2 技术演进趋势

图片

8.3 行业影响

该技术的推广将推动:

  • 电机控制器可靠性标准

    升级
  • 故障诊断算法

    成为标配
  • 售后服务模式

    改变(减少拖车依赖)

参考文献

  1. 华为专利 CN 121822160 A,"电机控制器及其短路隔离功能"
  2. 敬华兵等,《MMC子模块元件短路故障机理及其新型保护策略》,2015
  3. 方敏等,《三相永磁同步电机断相容错控制》,北京航空航天大学
  4. 王国栋等,《计及制动电机绕组缺相的EMB容错控制》,中国科学院电工研究所
  5. 周长攀等,《基于正常解耦变换的双三相永磁同步电机缺相容错控制策略》,哈尔滨工业大学

欢迎关注“国产碳化硅”公众号,作为国内知名的第三代半导体媒体平台,我们始终致力于为第三代半导体(碳化硅·氮化镓)及工业能源、新能源汽车、航天船舶等产业提供相对客观、真实、及时的行业动态及产品技术信息,整合行业资源,助力中国能源产业的发展!

免责声明:1)来源:本公众号文章及图片均来自公开网络,旨在分享,不代表本号观点或对真实性负责。2)版权:若转载内容涉及版权,请原作者联系我们,将及时删除。3)责任:用户使用文章内容时需自行判断,因内容引发的所有损失,本号不承担法律责任。4)解释:本声明的最终解释权归本公众号所有,未尽事宜以法律法规为准。

国产碳化硅  就找明古微——感谢深圳市明古微半导体有限公司长期对本公众号的赞助与支持,深圳市明古微半导体有限公司作为爱仕特科技碳化硅MOS、中科本原DSP、乐山希尔整流桥堆及FRD等的核心代理商,与其深度合作并联合开发功率模块及电动主驱、工业能源等解决方案,助力工业电源、电力电子、SST、光伏储能、新能源汽车等产业发展,更多信息请登录:www.mgmsemi.com

SiC MOS

我们要把有限的精力用在服务客户上,维护网站可能会延迟,想了解我们的最新动态,建议您关注我们的“微信公众号”或直接致电联系我们!谢谢!