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爱仕特12大封装SiC功率模块选型指南:650-1700V全电压,千瓦至兆瓦级全覆盖
来源: | 作者:小明同学 | 发布时间: 2026-10-14 | 133 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:


电力电子系统升级三大核心诉求:提升转换效率、实现小型化与轻量化、降低系统综合成本,碳化硅(SiC)功率模块是实现上述目标的核心器件。

爱仕特作为国内碳化硅功率模块厂商,依托自研SiC MOSFET芯片,搭建完整SiC功率模块产品矩阵:12大封装系列,合计140余款标准型号;650‑1700V耐压,32‑1000A电流,可匹配不同功率等级、两电平/三电平/H桥等各类拓扑架构,为AI数据中心、新能源汽车、光伏储能、eVTOL等场景提供标准化与定制化器件选型方案。


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▲ 爱仕特全系SiC模块选型矩阵





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三大产品梯队

大功率重载级|中功率工业级|小功率紧凑级

爱仕特碳化硅功率模块形成了“大功率重载级-中功率工业级-小功率紧凑级”的完整产品梯队,12大封装系列各有侧重,可精准匹配不同行业的差异化需求。




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01

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大功率重载级封装

  • 封装系列:HPD、MHPD、DCS12、MED、MEK6、MD3


HPD系列|三相全桥模块

  • 650‑1700V耐压,400‑800A电流

  • 高功率密度、低寄生电感、耐高温、高可靠性

  • 典型应用:新能源汽车牵引逆变器、航空控制器、工业控制器

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▲ HPD系列SiC模块





MHPD系列|紧凑型三相全桥模块

  • 1200V耐压,600‑800A电流

  • HPD紧凑型衍生,兼顾大功率与狭小安装空间

  • 典型应用:新能源汽车牵引逆变器、航空控制器、工业控制器

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▲ MHPD系列SiC模块





DCS12系列|半桥水模块

  • 650‑1700V耐压,400‑800A电流

  • 优化水冷结构,密封封装,低开关损耗

  • 典型应用:新能源汽车牵引逆变器、航空控制器、工业控制器

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▲ DCS12系列SiC模块





MED系列|半桥模块

  • 650‑1700V耐压,210‑1000A电流

  • 低开关损耗、高功率密度、高温工况稳定

  • 典型应用:固态变压器(SST)、固态断路器(SSCB)、高功率转换器、电机驱动、不间断电源

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▲ MED系列SiC模块





MEK6系列|三相全桥模块

  • 1200‑1700V耐压,100‑400A电流

  • 极端工况耐受,高温性能稳定

  • 典型应用:eVTOL电调、DC‑DC转换器、高频开关电源、焊机

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▲ MEK6系列SiC模块





MD3系列|三相全桥模块

  • 650‑1700V耐压,300‑800A电流

  • 风冷/水冷双散热兼容,车规与工业工况兼容

  • 典型应用:新能源汽车牵引逆变器、光伏逆变器、通信电源

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▲ MD3系列SiC模块




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02

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中功率工业级封装

  • 封装系列:ME2、ME3、HEP、MEP、EP


ME2系列|34mm半桥模块

  • 1200‑1700V耐压,120‑300A电流

  • 高过载和高耐温循环能力,兼容性强

  • 典型应用:高功率转换器、电机驱动、不间断电源、焊机

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▲ ME2系列SiC模块





ME3系列|62mm半桥模块

  • 1200‑1700V耐压,210‑600A电流

  • 高功率密度、低开关损耗,兼容性强

  • 典型应用:SST、SSCB、光伏/风电逆变器、DC‑DC转换器、不间断电源

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▲ ME3系列SiC模块





HEP系列|兼容Easy 3B三电平模块

  • 主力型号:ASR4N1200HEP04‑X(1200V/380A/4mΩ)

  • 高温高频运行,降低散热压力

  • 典型应用:SST、光伏逆变器、储能变流器(PCS)

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▲ HEP系列SiC模块





MEP系列|兼容Easy 2B模块

  • 650‑1700V耐压,60‑300A电流

  • 支持半桥/H桥/三电平等多种拓扑,功率密度高

  • 典型应用:SST、EV充电桩、储能PCS、光伏逆变器、电机驱动

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▲ MEP系列SiC模块





EP系列|兼容Easy 1B半桥模块

  • 650‑1200V耐压,132‑200A电流

  • 体积紧凑,高频表现优异

  • 典型应用:光伏逆变器、高频开关电源、DC‑DC转换器、不间断电源

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▲ EP系列SiC模块





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03

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小功率紧凑封装


SM8系列|顶部散热半桥模块

  • 主力型号:ASC30N1200SM8(1200V/32A/80mΩ)

  • 轻薄小巧,顶部散热设计,安装便捷,低寄生电感

  • 典型应用:车载充电机(OBC)、DC‑DC转换器、功率因数校正(PFC)、开关电源

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▲ SM8系列SiC模块





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自研技术底座

保障全系性能一致性

爱仕特全系模块搭载自研碳化硅MOSFET芯片,从芯片设计到封装工艺实现自主可控,解决大功率碳化硅方案中短路耐受差、雪崩鲁棒性不足、高温工况可靠性下降的痛点,保障设备在大功率持续运行下稳定工作。


自研SiC MOSFET芯片

  • 通过元胞结构与外延工艺优化,同时压低导通电阻与开关损耗;

  • 强化芯片短路耐受能力、雪崩鲁棒性,适配车载、电网等复杂波动工况长期运行。


差异化高可靠封装工艺

  • 大功率模块:优化基板热阻、键合工艺,降低寄生参数;

  • 中功率模块:选用高耐温塑封材料,平衡成本与可靠性;

  • 车规级产品满足AQG324标准;全系列完成环境可靠性测试。


参数与拓扑定制开发能力

  • 基于12大封装平台,支持电压、电流、导通电阻定制;支持两电平、三电平、共源极等多种拓扑定制,快速响应客户项目个性化开发需求。





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多行业规模化交付落地

爱仕特SiC功率模块已实现多行业批量交付落地,对应系统收益:提升整机转换效率、减小散热器体积、降低整机物料与散热成本、设备轻量化。

  • 新能源汽车&充电桩:适配主驱逆变器、车载OBC、直流充电桩;不同封装匹配整车功率等级,提升续航能力,缩短充电时间。

  • 可再生能源:户用储能、工商业储能、集中式光伏全覆盖,适配组串式、集中式、三电平各类逆变器拓扑,提升发电与储能系统转换效率。

  • 工业与新型电力系统:AI服务器电源、工业变频器、固态变压器、固态断路器,发挥碳化硅高频高效优势,实现工业设备小型轻量化,支撑新型电力系统建设。

  • eVTOL:适配飞行器动力变换单元,以高功率密度特性满足航空轻量化、高可靠的动力需求。

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▲ 碳化硅全域赋能




SiC MOS

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